M29W160EB70N3E vs M29W160EB70N3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W160EB70N3E par Micron Technology et M29W160EB70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W160EB70N3E | M29W160EB70N3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,76 | $1,01 |
| Type de mémoire | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| Taille de mémoire | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| Organisation de la mémoire | 2M x8 / 1M x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Interface | Parallel | Parallel (Byte/Word-wide) |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | 10 us (typical) | 10 us per byte/word (typical) |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier / Format | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tape & Reel |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Boot Block Position | — | Bottom boot block |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Qualification | — | Automotive, AEC-Q100 |
| Erase Architecture | — | Block erase (boot block + main blocks) |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI compliant) |
| Reset Input | — | RESET# hardware reset pin |