M29W160ET70N3E vs M29W160EB70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W160ET70N3E von Micron Technology und M29W160EB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29W160ET70N3E | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,50 | $1,76 |
| Speichertyp | NOR Flash (Parallel) | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 16 Mbit | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Speicherorganisation | 2M x 8 / 1M x 16 | 2M x8 / 1M x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Versorgungsspannung | 3 V / 3.3 V (nominal) | — |
| Boot Block Location | Top boot | — |
| Gehäuse | 48-TSOP | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Bus Width Selection | BYTE# pin, x8 or x16 | — |
| Sector Protection | Hardware boot block protection | — |
| Programming Type | Automatic program and erase | — |
| Packing | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) | — |
| RoHS-Status | Compliant (E suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Gehäuse / Bauform | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |