M29W160ET70N3E vs M29W160EB70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W160ET70N3E от Micron Technology и M29W160EB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W160ET70N3E | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,50 | $1,76 |
| Тип памяти | NOR Flash (Parallel) | FLASH - NOR |
| Размер памяти | 16 Mbit | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Организация памяти | 2M x 8 / 1M x 16 | 2M x8 / 1M x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Напряжение питания | 3 V / 3.3 V (nominal) | — |
| Boot Block Location | Top boot | — |
| Корпус | 48-TSOP | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Bus Width Selection | BYTE# pin, x8 or x16 | — |
| Sector Protection | Hardware boot block protection | — |
| Programming Type | Automatic program and erase | — |
| Packing | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) | — |
| Статус RoHS | Compliant (E suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Корпус / Типоразмер | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |