M29W400FB55N3E vs M29W800FB70N3E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W400FB55N3E von Micron Technology und M29W800FB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W400FB55N3E M29W800FB70N3E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie EEPROM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,95
Speichertyp NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 8 Mbit (8388608 bits)
Speicherorganisation 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase and read
Schnittstelle Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical 10 us per byte/word (typical)
Boot Block Hardware Protection Yes —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Pins 48 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
RoHS-Status Compliant RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Datenbusbreite — x8/x16 (BYTE# selectable)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
Pin-Anzahl — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

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