M29W400FB55N3E vs M29W800FB70N3E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W400FB55N3E par Micron Technology et M29W800FB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Actif
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W400FB55N3E M29W800FB70N3E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,95
Type de mémoire NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 8 Mbit (8388608 bits)
Organisation de la mémoire 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase and read
Interface Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical 10 us per byte/word (typical)
Boot Block Hardware Protection Yes —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Pins 48 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Statut RoHS Compliant RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Largeur du bus de données — x8/x16 (BYTE# selectable)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
Nombre de broches — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

Fiches techniques et ressources

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