M29W400FB55N3E vs M29W800FB70N3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W400FB55N3E от Micron Technology и M29W800FB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W400FB55N3E M29W800FB70N3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,95
Тип памяти NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 8 Mbit (8388608 bits)
Организация памяти 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase and read
Интерфейс Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical 10 us per byte/word (typical)
Boot Block Hardware Protection Yes —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Pins 48 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Статус RoHS Compliant RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Разрядность шины данных — x8/x16 (BYTE# selectable)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
Число выводов — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену