M29W640GB70N3E vs M29W320DB70N3F Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W640GB70N3E von Micron Technology und M29W320DB70N3F von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29W640GB70N3E | M29W320DB70N3F |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Flash |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,05 | $1,30 |
| Speichertyp | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit (8 MByte) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Schnittstelle | Parallel, asynchronous | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Versorgungsspannung | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Speicherorganisation | 4M x16 / 8M x8 | 2 M x 16 |
| Boot Block | Bottom boot block (GB) | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 48-TSOP I | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming | Word/Byte program, block erase | — |
| Command Set | M29W family standard command set | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Technology | — | Parallel NOR Flash |
| Bus Width | — | x8/x16 selectable |
| Supply Voltage (VCC) | — | 3.0 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V |
| Block Organization | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (DB = bottom boot block) |
| Packaging Variant (TR) | — | Tape & Reel available (M29W320DB70N3F TR) |