M29W640GB70N3E vs M29W320DB70N3F Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29W640GB70N3E por Micron Technology y M29W320DB70N3F por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29W640GB70N3E | M29W320DB70N3F |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Flash |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,05 | $1,30 |
| Tipo de memoria | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit (8 MByte) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Interfaz | Parallel, asynchronous | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tensión de alimentación | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Organización de memoria | 4M x16 / 8M x8 | 2 M x 16 |
| Boot Block | Bottom boot block (GB) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulado | 48-TSOP I | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming | Word/Byte program, block erase | — |
| Command Set | M29W family standard command set | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Technology | — | Parallel NOR Flash |
| Bus Width | — | x8/x16 selectable |
| Supply Voltage (VCC) | — | 3.0 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V |
| Block Organization | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (DB = bottom boot block) |
| Packaging Variant (TR) | — | Tape & Reel available (M29W320DB70N3F TR) |