M29W800FB70N3F vs M29W160EB70N3E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W800FB70N3F von Micron Technology und M29W160EB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W800FB70N3F M29W160EB70N3E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,91 $1,76
Density 8 Mbit —
Speicherorganisation 512K x 16 / 1M x 8 2M x8 / 1M x16
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Schnittstellentyp Parallel —
Speichertyp NOR Flash (Boot Block) FLASH - NOR
Boot Block Location Bottom —
Block Count 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main) —
Bus Width Selection x8 / x16 via BYTE# pin —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) 10 us (typical)
CFI Compliant Yes —
Erase Suspend/Resume Yes —
Gehäuse TSOP-48 (12 x 20 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +125C
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel Tray
Speichergröße — 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Schnittstelle — Parallel
Cell Type — SLC NOR
Gehäuse / Bauform — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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