M29W800FB70N3F vs M29W160EB70N3E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W800FB70N3F par Micron Technology et M29W160EB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Actif
Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W800FB70N3F M29W160EB70N3E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,91 $1,76
Density 8 Mbit —
Organisation de la mémoire 512K x 16 / 1M x 8 2M x8 / 1M x16
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Type d'interface Parallel —
Type de mémoire NOR Flash (Boot Block) FLASH - NOR
Boot Block Location Bottom —
Block Count 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main) —
Bus Width Selection x8 / x16 via BYTE# pin —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) 10 us (typical)
CFI Compliant Yes —
Erase Suspend/Resume Yes —
Boîtier TSOP-48 (12 x 20 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +125C
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel Tray
Taille de mémoire — 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Interface — Parallel
Cell Type — SLC NOR
Boîtier / Format — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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