M29W800FB70N3F vs M29W800FT70ZA3SE Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W800FB70N3F von Micron Technology und M29W800FT70ZA3SE von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W800FB70N3F M29W800FT70ZA3SE
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs EEPROM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,91 $1,38
Density 8 Mbit 8 Mb
Speicherorganisation 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Schnittstellentyp Parallel —
Speichertyp NOR Flash (Boot Block) NOR Flash (Parallel)
Boot Block Location Bottom —
Block Count 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main) —
Bus Width Selection x8 / x16 via BYTE# pin —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
CFI Compliant Yes —
Erase Suspend/Resume Yes —
Gehäuse TSOP-48 (12 x 20 mm) 48-TFBGA (6x8 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +125C
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel —
Speichergröße — 8 Mbit
Technology — SLC
Schnittstelle — Parallel
Versorgungsspannung — 2.7 V to 3.6 V
Programming Interface — CFI command set
Boot Block Architecture — Top boot (FT = top boot block)
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

Datenblätter & Ressourcen

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