M29W800FB70N3F vs M29W800FT70ZA3SE Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W800FB70N3F por Micron Technology y M29W800FT70ZA3SE por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Activo
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W800FB70N3F M29W800FT70ZA3SE
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,91 $1,38
Density 8 Mbit 8 Mb
Organización de memoria 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Tipo de interfaz Parallel —
Tipo de memoria NOR Flash (Boot Block) NOR Flash (Parallel)
Boot Block Location Bottom —
Block Count 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main) —
Bus Width Selection x8 / x16 via BYTE# pin —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
CFI Compliant Yes —
Erase Suspend/Resume Yes —
Encapsulado TSOP-48 (12 x 20 mm) 48-TFBGA (6x8 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +125C
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel —
Tamaño de memoria — 8 Mbit
Technology — SLC
Interfaz — Parallel
Tensión de alimentación — 2.7 V to 3.6 V
Programming Interface — CFI command set
Boot Block Architecture — Top boot (FT = top boot block)
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

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