M321R4GA0PB2-CCP vs M321R4GA3EB2-CWM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M321R4GA0PB2-CCP von Samsung Electro-Mechanics und M321R4GA3EB2-CWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electro-Mechanics
M321R4GA0PB2-CCP M321R4GA0PB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0PB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0PB2-CCP ✓ Aktiv
Samsung Electronics
M321R4GA3EB2-CWM M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB2-CWM ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M321R4GA0PB2-CCP M321R4GA3EB2-CWM
Marke Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs EEPROM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $1.260,00
Capacity 32 GB (1 x 32 GB) —
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM ECC Registered (RDIMM)
Module Type 288-pin RDIMM (ECC Registered) —
Speed 6400 MT/s (PC5-51200) —
CAS-Latenz CL52 CL46
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Configuration 1Rx4 (single rank, x4) —
Speicherorganisation 4G x 72 2Rx8 (dual rank, x8)
DRAM Devices 20 x 4G x 4 DDR5 DRAM, FBGA package —
ECC ECC Registered (on-die ECC + side-band) —
Form Factor 288-pin DIMM 288-pin RDIMM
Bandwidth 51.2 GB/s peak (PC5-51200) —
Rank Single Rank —
Compliance 100% JEDEC compliant —
Compatible Platforms Dell, HPE, Lenovo ThinkSystem, Supermicro (Xeon / EPYC DDR5 platforms) Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro DDR5 servers
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
GTIN / EAN 4262552150022 —
Memory Capacity — 32 GB
Datenrate — 5600 MT/s (PC5-44800)
DRAM Composition — 20 x 2Gx8 FBGA DRAM components
Ranks — 2
Error Correction — On-die ECC (ODECC) + registered parity/CRC
DRAM Die — E-die (12nm-class process)
JEDEC Compliance — JEDEC PC5-44800R compliant
Module Supply — 12 V input with on-module PMIC (1.1 V DRAM rail)
RoHS-Status — Compliant
Peak Bandwidth — Approx. 44.8 GB/s per module

Datenblätter & Ressourcen

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