M321R4GA0PB2-CCP vs M321R4GA3EB2-CWM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M321R4GA0PB2-CCP от Samsung Electro-Mechanics и M321R4GA3EB2-CWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electro-Mechanics
M321R4GA0PB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung
M321R4GA0PB2-CCP ✓ АктивенSamsung Electronics
M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung
M321R4GA3EB2-CWM ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M321R4GA0PB2-CCP | M321R4GA3EB2-CWM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | EEPROM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $1.260,00 |
| Capacity | 32 GB (1 x 32 GB) | — |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM ECC Registered (RDIMM) |
| Module Type | 288-pin RDIMM (ECC Registered) | — |
| Speed | 6400 MT/s (PC5-51200) | — |
| Задержка CAS | CL52 | CL46 |
| Operating Voltage | 1.1 V | 1.1 V |
| Configuration | 1Rx4 (single rank, x4) | — |
| Организация памяти | 4G x 72 | 2Rx8 (dual rank, x8) |
| DRAM Devices | 20 x 4G x 4 DDR5 DRAM, FBGA package | — |
| ECC | ECC Registered (on-die ECC + side-band) | — |
| Form Factor | 288-pin DIMM | 288-pin RDIMM |
| Bandwidth | 51.2 GB/s peak (PC5-51200) | — |
| Rank | Single Rank | — |
| Compliance | 100% JEDEC compliant | — |
| Compatible Platforms | Dell, HPE, Lenovo ThinkSystem, Supermicro (Xeon / EPYC DDR5 platforms) | Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro DDR5 servers |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| GTIN / EAN | 4262552150022 | — |
| Memory Capacity | — | 32 GB |
| Скорость передачи данных | — | 5600 MT/s (PC5-44800) |
| DRAM Composition | — | 20 x 2Gx8 FBGA DRAM components |
| Ranks | — | 2 |
| Error Correction | — | On-die ECC (ODECC) + registered parity/CRC |
| DRAM Die | — | E-die (12nm-class process) |
| JEDEC Compliance | — | JEDEC PC5-44800R compliant |
| Module Supply | — | 12 V input with on-module PMIC (1.1 V DRAM rail) |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Peak Bandwidth | — | Approx. 44.8 GB/s per module |