MMBT3904-7-F vs MMBT3904,215 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MMBT3904-7-F von Diodes Incorporated und MMBT3904,215 von Nexperia. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc
MMBT3904-7-F ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MMBT3904-7-F | MMBT3904,215 |
|---|---|---|
| Marke | Diodes Incorporated | Nexperia |
| Kategorie | Transistors | Transistors |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,04 | $0,02 |
| Transistortyp | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN |
| Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) | 40 V | 40 V |
| Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo) | 40 V | 60 V |
| Emitter-Basis-Spannung (Vebo) | 6 V | 6 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 200 mA | 200 mA |
| Power Dissipation (PD) | 300 mW | — |
| Übergangsfrequenz (ft) | 300 MHz minimum | 300 MHz (minimum) |
| DC Current Gain (hFE) | 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V | 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V) |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) | 200 mV typical @ IC=10 mA | 200 mV (typical at IC = 10 mA) |
| Betriebstemperaturbereich | -55 C to +150 C | -65 °C to +150 °C |
| Gehäuse / Bauform | SOT-23-3 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Construction | Epitaxial Planar | — |
| Complementary PNP Type | MMBT3906-7-F | — |
| RoHS Compliance | Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) | — |
| Gehäuse | — | SOT-23 (TO-236AB) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 250 mW |
| Noise Figure (NF) | — | 5 dB (maximum) |
| Pin-Anzahl | — | 3 |
| PNP Complement | — | MMBT3906 |
| RoHS-Status | — | Compliant |