MMBT3904-7-F vs MMBT3904,215 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MMBT3904-7-F por Diodes Incorporated y MMBT3904,215 por Nexperia. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MMBT3904-7-F MMBT3904,215
Marca Diodes Incorporated Nexperia
Categoría Transistors Transistors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,04 $0,02
Tipo de transistor NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN
Tensión colector-emisor (Vceo) 40 V 40 V
Tensión colector-base (Vcbo) 40 V 60 V
Tensión emisor-base (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 300 mW —
Frecuencia de transición (ft) 300 MHz minimum 300 MHz (minimum)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)) 200 mV typical @ IC=10 mA 200 mV (typical at IC = 10 mA)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -65 °C to +150 °C
Encapsulado / Carcasa SOT-23-3 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Type MMBT3906-7-F —
RoHS Compliance Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) —
Encapsulado — SOT-23 (TO-236AB)
Power Dissipation (Pd) — 250 mW
Noise Figure (NF) — 5 dB (maximum)
Recuento de pines — 3
PNP Complement — MMBT3906
Estado RoHS — Compliant

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