MPC8378ECVRALGA vs MPC8378ECVRANGA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MPC8378ECVRALGA von NXP Semiconductors und MPC8378ECVRANGA von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
NXP Semiconductors
MPC8378ECVRALGA - PowerQUICC II Pro SoC 667MHz 689-TEPBGA | NXP
MPC8378ECVRALGA NrndNXP Semiconductors
MPC8378ECVRANGA - PowerQUICC II Pro SoC, 800MHz | NXP
MPC8378ECVRANGA ✗ AbgekündigtSpezifikationsvergleich
| Parameter | MPC8378ECVRALGA | MPC8378ECVRANGA |
|---|---|---|
| Marke | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Kategorie | Microcontrollers | Microcontrollers |
| Lebenszyklusstatus | NRND | Ende des Lebenszyklus |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $74,20 | $65,40 |
| Core Architecture | PowerPC e300c4s | Power Architecture e300c4s |
| Number of Cores | 1 | — |
| Datenbusbreite | 32-bit | 32-Bit |
| Maximale Taktfrequenz | 667 MHz | — |
| Instruction Cache | 32 KB | — |
| Data Cache | 32 KB | — |
| Memory Controller | DDR1/DDR2 (up to 528 MHz) | DDR1/DDR2 up to 400 MHz |
| Ethernet | 4 x 1 Gigabit Ethernet MACs | 4 x 10/100/1000 Mbps |
| PCI Express | 2 x PCI-Express (endpoint/root) | 2 x PCI Express lanes |
| USB | USB 2.0 host/device | 2 x USB 2.0 with PHY |
| SATA | SATA II | 2 x SATA II |
| Security Engine | SEC (IPsec/SSL acceleration) | SEC 4.4 (IPsec/SSL) |
| TDM/HDLC Controllers | 4 | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40 °C to +105 °C | — |
| Process Technology | 90 nm CMOS | — |
| Versorgungsspannung | 1.0 V core / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V I/O | — |
| Gehäuse | 689-TEPBGA II (31x31 mm) | 689-TEBGA II (31x31 mm, 1 mm pitch) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant (Pb-free) | Compliant (lead-free) |
| Core Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage Core | — | 1.8 V |
| Supply Voltage DDR I/O | — | 2.5 V |
| Supply Voltage I/O | — | 3.3 V |
| PCI | — | 2 x PCI |
| Betriebstemperatur | — | -40C to +105C |
| Manufacturing Process | — | 0.09 µm CMOS |