MPC8378ECVRALGA vs MPC8378ECVRANGA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MPC8378ECVRALGA от NXP Semiconductors и MPC8378ECVRANGA от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
NXP Semiconductors
MPC8378ECVRALGA - PowerQUICC II Pro SoC 667MHz 689-TEPBGA | NXP
MPC8378ECVRALGA NrndNXP Semiconductors
MPC8378ECVRANGA - PowerQUICC II Pro SoC, 800MHz | NXP
MPC8378ECVRANGA ✗ Снят с производстваСравнение характеристик
| Параметр | MPC8378ECVRALGA | MPC8378ECVRANGA |
|---|---|---|
| Бренд | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Категория | Microcontrollers | Microcontrollers |
| Статус жизненного цикла | NRND | Снято с производства |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $74,20 | $65,40 |
| Core Architecture | PowerPC e300c4s | Power Architecture e300c4s |
| Number of Cores | 1 | — |
| Разрядность шины данных | 32-bit | 32-Bit |
| Максимальная тактовая частота | 667 MHz | — |
| Instruction Cache | 32 KB | — |
| Data Cache | 32 KB | — |
| Memory Controller | DDR1/DDR2 (up to 528 MHz) | DDR1/DDR2 up to 400 MHz |
| Ethernet | 4 x 1 Gigabit Ethernet MACs | 4 x 10/100/1000 Mbps |
| PCI Express | 2 x PCI-Express (endpoint/root) | 2 x PCI Express lanes |
| USB | USB 2.0 host/device | 2 x USB 2.0 with PHY |
| SATA | SATA II | 2 x SATA II |
| Security Engine | SEC (IPsec/SSL acceleration) | SEC 4.4 (IPsec/SSL) |
| TDM/HDLC Controllers | 4 | — |
| Диапазон рабочих температур | -40 °C to +105 °C | — |
| Process Technology | 90 nm CMOS | — |
| Напряжение питания | 1.0 V core / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V I/O | — |
| Корпус | 689-TEPBGA II (31x31 mm) | 689-TEBGA II (31x31 mm, 1 mm pitch) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant (lead-free) |
| Core Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage Core | — | 1.8 V |
| Supply Voltage DDR I/O | — | 2.5 V |
| Supply Voltage I/O | — | 3.3 V |
| PCI | — | 2 x PCI |
| Рабочая температура | — | -40C to +105C |
| Manufacturing Process | — | 0.09 µm CMOS |