MT25QU512ABB8E12-0AUT vs MT25QU01GBBB8E12-0AUT Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT25QU512ABB8E12-0AUT von Micron Technology und MT25QU01GBBB8E12-0AUT von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT25QU512ABB8E12-0AUT - 512Mb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QU512ABB8E12-0AUT ✓ AktivMicron Technology
MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QU01GBBB8E12-0AUT ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT25QU512ABB8E12-0AUT | MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $7,10 |
| Speichertyp | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash, Serial (SPI) |
| Density | 512 Mbit (64M x 8) | 1 Gbit (128 MB) |
| Schnittstelle | SPI - Quad I/O | SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Max Clock Frequency | 133 MHz | 133 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.8 V | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 24-T-PBGA (6x8 mm) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| FBGA Code | RW299 | RW320 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Sector Erase Sizes | 4KB, 32KB, 64KB | — |
| Execute-In-Place (XIP) | Yes | — |
| Write Protection | Advanced block protection | Hardware write protection; Software write protection; Write enable latch |
| Addressing | 3-byte and extended address access | — |
| Series | MT25Q | — |
| AEC-Q100 | 512 Mbit automotive-grade serial NOR (per Newark listing: AEC-Q100) | — |
| Product Longevity Program | No | No |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speicherorganisation | — | x1 / x2 / x4 (I/O width) |
| Access Time | — | 6 ns |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |