MT25QU512ABB8E12-0AUT vs MT25QU01GBBB8E12-0AUT Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT25QU512ABB8E12-0AUT por Micron Technology y MT25QU01GBBB8E12-0AUT por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT25QU512ABB8E12-0AUT - 512Mb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QU512ABB8E12-0AUT ✓ ActivoMicron Technology
MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QU01GBBB8E12-0AUT ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT25QU512ABB8E12-0AUT | MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $7,10 |
| Tipo de memoria | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash, Serial (SPI) |
| Density | 512 Mbit (64M x 8) | 1 Gbit (128 MB) |
| Interfaz | SPI - Quad I/O | SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Max Clock Frequency | 133 MHz | 133 MHz |
| Tensión de alimentación | 1.8 V | 1.8 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulado | 24-T-PBGA (6x8 mm) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| FBGA Code | RW299 | RW320 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Sector Erase Sizes | 4KB, 32KB, 64KB | — |
| Execute-In-Place (XIP) | Yes | — |
| Write Protection | Advanced block protection | Hardware write protection; Software write protection; Write enable latch |
| Addressing | 3-byte and extended address access | — |
| Series | MT25Q | — |
| AEC-Q100 | 512 Mbit automotive-grade serial NOR (per Newark listing: AEC-Q100) | — |
| Product Longevity Program | No | No |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Organización de memoria | — | x1 / x2 / x4 (I/O width) |
| Access Time | — | 6 ns |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |