MT29F2G08ABAEAWP-IT:E vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT29F2G08ABAEAWP-IT:E von Micron Technology und MT29F1G08ABAEAWP-IT:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E ✓ Aktiv
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT29F2G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $1,60
Speichertyp Non-volatile NAND Flash (SLC) —
Speichergröße 2 Gbit (256 M x 8) 1 Gbit (128 MB)
Speicherorganisation 2048 blocks x 64 pages x 2112 bytes (x8) 128M x 8
Page Size (x8) 2112 bytes (2048 + 64 spare) —
Page Size (x16) 1056 words (1024 + 32 spare) —
Block Size 64 pages (128 KB + 4 KB spare) 128 KB
Plane Size 2 planes x 1024 blocks per plane —
Schnittstelle Asynchronous Parallel (x8 / x16 selectable) Parallel
ONFI Compliance ONFI 1.0 —
Supply Voltage (Vcc) 2.7 V to 3.6 V —
Betriebstemperatur -40C to +85C (Industrial) -40C to +85C
Gehäuse 48-pin TSOP-I (Type I) TSOP-48
Montageart Surface Mount Surface Mount
Eigenschaften Hardware WP, hardware reset, copy-back, OTP, ECC spare area —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 3 —
Versorgungsspannung — 3.3 V
Access Time — 25 ns
Page Size — 2048 bytes + 64 bytes spare
Program Time — 200 us (typical)
Erase Time — 2 ms (typical)
Endurance — 100K program/erase cycles
Data Retention — 10 years

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