MT29F2G08ABAEAWP-IT:E vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT29F2G08ABAEAWP-IT:E par Micron Technology et MT29F1G08ABAEAWP-IT:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E ✓ ActifMicron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT29F2G08ABAEAWP-IT:E | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,65 | $1,60 |
| Type de mémoire | Non-volatile NAND Flash (SLC) | — |
| Taille de mémoire | 2 Gbit (256 M x 8) | 1 Gbit (128 MB) |
| Organisation de la mémoire | 2048 blocks x 64 pages x 2112 bytes (x8) | 128M x 8 |
| Page Size (x8) | 2112 bytes (2048 + 64 spare) | — |
| Page Size (x16) | 1056 words (1024 + 32 spare) | — |
| Block Size | 64 pages (128 KB + 4 KB spare) | 128 KB |
| Plane Size | 2 planes x 1024 blocks per plane | — |
| Interface | Asynchronous Parallel (x8 / x16 selectable) | Parallel |
| ONFI Compliance | ONFI 1.0 | — |
| Supply Voltage (Vcc) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C (Industrial) | -40C to +85C |
| Boîtier | 48-pin TSOP-I (Type I) | TSOP-48 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Caractéristiques | Hardware WP, hardware reset, copy-back, OTP, ECC spare area | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 3 | — |
| Tension d'alimentation | — | 3.3 V |
| Access Time | — | 25 ns |
| Page Size | — | 2048 bytes + 64 bytes spare |
| Program Time | — | 200 us (typical) |
| Erase Time | — | 2 ms (typical) |
| Endurance | — | 100K program/erase cycles |
| Data Retention | — | 10 years |