MT29F2G08ABAEAWP-IT:E vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT29F2G08ABAEAWP-IT:E por Micron Technology y MT29F1G08ABAEAWP-IT:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E ✓ ActivoMicron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT29F2G08ABAEAWP-IT:E | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,65 | $1,60 |
| Tipo de memoria | Non-volatile NAND Flash (SLC) | — |
| Tamaño de memoria | 2 Gbit (256 M x 8) | 1 Gbit (128 MB) |
| Organización de memoria | 2048 blocks x 64 pages x 2112 bytes (x8) | 128M x 8 |
| Page Size (x8) | 2112 bytes (2048 + 64 spare) | — |
| Page Size (x16) | 1056 words (1024 + 32 spare) | — |
| Block Size | 64 pages (128 KB + 4 KB spare) | 128 KB |
| Plane Size | 2 planes x 1024 blocks per plane | — |
| Interfaz | Asynchronous Parallel (x8 / x16 selectable) | Parallel |
| ONFI Compliance | ONFI 1.0 | — |
| Supply Voltage (Vcc) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +85C (Industrial) | -40C to +85C |
| Encapsulado | 48-pin TSOP-I (Type I) | TSOP-48 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Características | Hardware WP, hardware reset, copy-back, OTP, ECC spare area | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 3 | — |
| Tensión de alimentación | — | 3.3 V |
| Access Time | — | 25 ns |
| Page Size | — | 2048 bytes + 64 bytes spare |
| Program Time | — | 200 us (typical) |
| Erase Time | — | 2 ms (typical) |
| Endurance | — | 100K program/erase cycles |
| Data Retention | — | 10 years |