MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NCMR-XNI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A2G8AG-062E von Micron Technology und H5ANAG8NCMR-XNI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Aktiv
SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NCMR-XNI
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,75 $4,15
Speichertyp DDR4 SDRAM Volatile (DRAM)
Density 16 Gbit —
Speicherorganisation 2G x 8 —
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz —
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CAS-Latenz CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
Gehäuse 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision AG (current generation) —
Memory Format — DDR4 SDRAM
Speichergröße — 16 Gb
Memory Organization — x8
Schnittstelle — Parallel
Datenrate — 3200 Mbps (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Packaging — Tray
Product Status — Active
Manufacturer — SK Hynix
Technology — CMOS DDR4 SDRAM
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate]

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