MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NCMR-XNI Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A2G8AG-062E por Micron Technology y H5ANAG8NCMR-XNI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A2G8AG-062E | H5ANAG8NCMR-XNI |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,75 | $4,15 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | Volatile (DRAM) |
| Density | 16 Gbit | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | — |
| Speed | DDR4-3200 (3200 MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | 0.625 ns (tCK) | — |
| Latencia CAS | CL22 (DDR4-3200) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| I/O Interface | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Operating Temperature (AUT grade) | -40C to +95C (per Micron grade table) | — |
| Encapsulado | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | AG (current generation) | — |
| Memory Format | — | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | x8 |
| Interfaz | — | Parallel |
| Velocidad de datos | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |
| Manufacturer | — | SK Hynix |
| Technology | — | CMOS DDR4 SDRAM |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |