MT40A512M16AD-062E vs MT40A512M16TB-062E:R Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16AD-062E von Micron Technology und MT40A512M16TB-062E:R von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ AktivMicron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16AD-062E | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,20 | $60,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| Schnittstelle | Parallel (POD) | Parallel |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Versorgungsspannung | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Datenrate | — | 3200 MT/s |
| CAS-Latenz | — | 22 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Datenbusbreite | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |