MT40A512M16AD-062E vs MT40A512M16TB-062E:R Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16AD-062E par Micron Technology et MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16AD-062E | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,20 | $60,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| Interface | Parallel (POD) | Parallel |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Débit de données | — | 3200 MT/s |
| Latence CAS | — | 22 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |