MT40A512M16JY-075E vs K4A8G165WB-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16JY-075E von Micron Technology und K4A8G165WB-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16JY-075E | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $30,50 | $37,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Datenrate | 2666 MT/s | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14) | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Eigenschaften | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C (TC) |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |