MT40A512M16JY-075E vs K4A8G165WB-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16JY-075E par Micron Technology et K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16JY-075E | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $30,50 | $37,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14) | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Caractéristiques | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |