MT40A512M16LY-062E AAT:E vs NT5AD512M16C4-JRU Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16LY-062E AAT:E von Micron Technology und NT5AD512M16C4-JRU von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ AktivNanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16LY-062E AAT:E | NT5AD512M16C4-JRU |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,20 | $83,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Schnittstelle | Parallel | CMOS, DDR4 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) |
| Access Time | 19 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Speed Grade | 062E | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 C to +95 C (industrial grade) |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package max height] | — |
| MSL Rating | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Ordering Code Suffix | AAT:E (temperature/package option per Micron code) | — |
| RoHS-Status | Compliant | Green Product (per Nanya product page) |
| Moisture Packaging | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] | — |
| Data Rate Class | DDR4-3200 (062E speed bin) | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| CAS Latency (CL) | — | 22 at 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |