MT40A512M16LY-062E AAT:E vs NT5AD512M16C4-JRU Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16LY-062E AAT:E por Micron Technology e NT5AD512M16C4-JRU por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Ativo
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16LY-062E AAT:E NT5AD512M16C4-JRU
Marca Micron Technology Nanya Technology
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,20 $83,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
Interface Parallel CMOS, DDR4
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
Access Time 19 ns —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Speed Grade 062E —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +95 C (industrial grade)
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
Status RoHS Compliant Green Product (per Nanya product page)
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
Density — 8 Gbit
Organização da memória — 512M x 16
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

Fichas técnicas e recursos

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