MT40A512M16LY-062E AAT:E vs NT5AD512M16C4-JRU Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-062E AAT:E par Micron Technology et NT5AD512M16C4-JRU par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Actif
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-062E AAT:E NT5AD512M16C4-JRU
Marque Micron Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,20 $83,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
Interface Parallel CMOS, DDR4
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
Access Time 19 ns —
Tension d'alimentation 1.2 V —
Speed Grade 062E —
Boîtier 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +95 C (industrial grade)
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
Statut RoHS Compliant Green Product (per Nanya product page)
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
Density — 8 Gbit
Organisation de la mémoire — 512M x 16
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

Fiches techniques et ressources

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