MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16LY-075 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16LY-075:E von Micron Technology und MT40A512M16LY-075 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Aktiv
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,80 $8,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit (512M x 16) —
Datenrate 2666 MT/s DDR4-2666
Clock Frequency 1.33 GHz —
CAS-Latenz 19 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) 2.5V (-125mV, +250mV)
Schnittstelle Parallel —
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) 8 (2 groups of 4 banks)
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
RoHS Compliant —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Density — 8 Gbit
Speicherorganisation — 512M x 16
Clock Speed — 1.33 GHz
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms

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