MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16LY-075 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16LY-075:E por Micron Technology e MT40A512M16LY-075 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,80 $8,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit (512M x 16) —
Taxa de dados 2666 MT/s DDR4-2666
Clock Frequency 1.33 GHz —
Latência CAS 19 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) 2.5V (-125mV, +250mV)
Interface Parallel —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Faixa de temperatura de operação 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) 8 (2 groups of 4 banks)
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
RoHS Compliant —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Density — 8 Gbit
Organização da memória — 512M x 16
Clock Speed — 1.33 GHz
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação