MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16LY-075 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16LY-075:E por Micron Technology y MT40A512M16LY-075 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Activo
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,80 $8,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit (512M x 16) —
Velocidad de datos 2666 MT/s DDR4-2666
Clock Frequency 1.33 GHz —
Latencia CAS 19 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) 2.5V (-125mV, +250mV)
Interfaz Parallel —
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) 8 (2 groups of 4 banks)
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
RoHS Compliant —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Density — 8 Gbit
Organización de memoria — 512M x 16
Clock Speed — 1.33 GHz
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms

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