MT40A512M16TB-062E:J vs MT40A512M16TB-062E:R Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16TB-062E:J von Micron Technology und MT40A512M16TB-062E:R von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Aktiv
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:R
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,10 $60,00
Speichertyp SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Speichergröße 8Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks each) —
Prefetch Architecture 8n-bit —
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Betriebstemperaturbereich 0°C to 95°C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Montageart Surface Mount —
Datenrate — 3200 MT/s
CAS-Latenz — 22
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Betriebstemperatur — 0°C to +95°C
Schnittstelle — Parallel
Datenbusbreite — 16 bits
Eigenschaften — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern