MT40A512M16TB-062E:J vs MT40A512M16TB-062E:R Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:J por Micron Technology y MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16TB-062E:J ✓ ActivoMicron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16TB-062E:J | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $60,00 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8Gbit (512M x 16) | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| Internal Banks (x16) | 8 (2 groups of 4 banks each) | — |
| Prefetch Architecture | 8n-bit | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Velocidad de datos | — | 3200 MT/s |
| Latencia CAS | — | 22 |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C |
| Interfaz | — | Parallel |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |