MT40A512M16TB-062E:J vs MT40A512M16TB-062E:R Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E:J par Micron Technology et MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16TB-062E:J ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16TB-062E:J | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $60,00 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8Gbit (512M x 16) | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| Internal Banks (x16) | 8 (2 groups of 4 banks each) | — |
| Prefetch Architecture | 8n-bit | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to 95°C | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Débit de données | — | 3200 MT/s |
| Latence CAS | — | 22 |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Interface | — | Parallel |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |