MT40A512M16TB-062E:R vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16TB-062E:R von Micron Technology und AS4C512M16D4B-62BCNTR von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Aktiv
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16TB-062E:R AS4C512M16D4B-62BCNTR
Marke Micron Technology Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $60,00 $8,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Datenrate 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
CAS-Latenz 22 19 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Betriebstemperatur 0°C to +95°C 0°C to 95°C
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Schnittstelle Parallel Parallel
Datenbusbreite 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Eigenschaften Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS-Status Compliant Compliant
Versorgungsspannung — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Montageart — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Speicherorganisation — 512M x 16
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

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