MT40A512M16TB-062E:R vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology e AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Ativo
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16TB-062E:R AS4C512M16D4B-62BCNTR
Marca Micron Technology Alliance Memory
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $60,00 $8,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Taxa de dados 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
Latência CAS 22 19 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Temperatura de operação 0°C to +95°C 0°C to 95°C
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Interface Parallel Parallel
Largura do barramento de dados 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Recursos Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
Status RoHS Compliant Compliant
Tensão de alimentação — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Tipo de montagem — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Organização da memória — 512M x 16
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação