MT40A512M16TB-062E:R vs AS4C512M16D4B-62BCNTR 对比

详细并排对比 MT40A512M16TB-062E:R 出自 Micron Technology 和 AS4C512M16D4B-62BCNTR 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ 量产中
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 量产中

规格对比

参数 MT40A512M16TB-062E:R AS4C512M16D4B-62BCNTR
品牌 Micron Technology Alliance Memory
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $60.00 $8.10
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
数据速率 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
CAS 延迟 22 19 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
工作温度 0°C to +95°C 0°C to 95°C
封装 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
接口 Parallel Parallel
数据总线宽度 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
特性 Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS 状态 Compliant Compliant
电源电压 — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
安装类型 — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
存储组织 — 512M x 16
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

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