MT40A512M16TB-062E:R vs H5AN8G6NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16TB-062E:R von Micron Technology und H5AN8G6NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16TB-062E:R | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $60,00 | $35,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Datenrate | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| CAS-Latenz | 22 | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Datenbusbreite | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Eigenschaften | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |