MT40A512M16TB-062E:R vs H5AN8G6NDJR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology et H5AN8G6NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16TB-062E:R H5AN8G6NDJR
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $60,00 $35,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (512M x 16) —
Débit de données 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Clock Frequency 1600 MHz —
Latence CAS 22 22 cycles (at 3200 Mbps)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm)
Interface Parallel —
Largeur du bus de données 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Caractéristiques Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling
Statut RoHS Compliant —
Density — 8 Gb
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Tension d'alimentation — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Maximum Supply Voltage (Vsup) — 1.26 V
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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