MT40A512M8RH-083E vs H5AN4G8NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M8RH-083E von Micron Technology und H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M8RH-083E H5AN4G8NBJR-UHC
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,30 $3,18
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Industry Speed Grade DDR4-2400 —
Clock Rate 1.2 GHz —
Internal Banks 8 banks (2 groups of 4) —
Prefetch 8n-bit —
Refresh 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
I/O Structure 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal, adjustable generation —
Betriebstemperatur 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
FBGA Code D9TGG —
Marking Code D9TGG —
Data Strobe Preamble Programmable —
RoHS-Status Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Datenrate — 2400 Mbps (PC2400)
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — DDR4 (JEDEC)
Montageart — Surface Mount
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern