MT40A512M8RH-083E vs H5AN4G8NBJR-UHC 比較

詳細な並列比較: MT40A512M8RH-083E メーカー: Micron Technology および H5AN4G8NBJR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M8RH-083E H5AN4G8NBJR-UHC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.30 $3.18
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
Industry Speed Grade DDR4-2400 —
Clock Rate 1.2 GHz —
Internal Banks 8 banks (2 groups of 4) —
Prefetch 8n-bit —
Refresh 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
I/O Structure 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal, adjustable generation —
動作温度 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
FBGA Code D9TGG —
Marking Code D9TGG —
Data Strobe Preamble Programmable —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
データレート — 2400 Mbps (PC2400)
電源電圧 — 1.2 V
インターフェース — DDR4 (JEDEC)
実装タイプ — Surface Mount
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.

データシート&リソース

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