MT41K128M16JT-125 AUT:K vs K4B4G1646E-BYK000 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K128M16JT-125 AUT:K von Micron Technology und K4B4G1646E-BYK000 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K128M16JT-125 AUT:K - 2Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Micron
MT41K128M16JT-125 AUT:K ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K128M16JT-125 AUT:K | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $12,17 | $0,56 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 2 Gbit | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 128M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 13.75 ns | 1.25 ns |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Speed Grade | -125 (1600 MT/s) | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (BYK) |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Automotive Qualification | Yes (AUT part number suffix) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Marking Code | D9VKD | — |
| Datenrate | 1600 MT/s | — |
| Packaging Option | Tape & Reel (TR suffix variant available) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |