MT41K128M16JT-125 AUT:K vs K4B4G1646E-BYK000 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K128M16JT-125 AUT:K por Micron Technology y K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K128M16JT-125 AUT:K - 2Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Micron
MT41K128M16JT-125 AUT:K ✓ ActivoSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646E-BYK000 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K128M16JT-125 AUT:K | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $12,17 | $0,56 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 2 Gbit | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 128M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 13.75 ns | 1.25 ns |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Speed Grade | -125 (1600 MT/s) | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (BYK) |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Automotive Qualification | Yes (AUT part number suffix) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Marking Code | D9VKD | — |
| Velocidad de datos | 1600 MT/s | — |
| Packaging Option | Tape & Reel (TR suffix variant available) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Características | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |