MT41K128M16JT-125 AUT:K vs K4B4G1646E-BYK000 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K128M16JT-125 AUT:K par Micron Technology et K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K128M16JT-125 AUT:K MT41K128M16JT-125 AUT:K - 2Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Micron

MT41K128M16JT-125 AUT:K - 2Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Micron

MT41K128M16JT-125 AUT:K ✓ Actif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K128M16JT-125 AUT:K K4B4G1646E-BYK000
Marque Micron Technology Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $12,17 $0,56
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 2 Gbit 4 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz 800 MHz
Access Time 13.75 ns 1.25 ns
Tension d'alimentation 1.35 V —
Interface Parallel Parallel
Speed Grade -125 (1600 MT/s) DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle)
Boîtier 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (BYK)
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Automotive Qualification Yes (AUT part number suffix) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Marking Code D9VKD —
Débit de données 1600 MT/s —
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix variant available) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data]
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3)
Number of Banks — [DATA_NEEDED: bank count]
Die Process — Samsung E-die
Caractéristiques — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask

Fiches techniques et ressources

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