MT41K256M16HA-107G:E vs H5TC4G63CFR-H9J Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-107G:E von Micron Technology und H5TC4G63CFR-H9J von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-107G:E MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-107G:E H5TC4G63CFR-H9J
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,00 $6,00
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
Access Time 20 ns —
Versorgungsspannung 1.35V —
Schnittstelle Parallel —
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball TFBGA
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Datenbusbreite 16 bit —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Anzahl der Pins 96 —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
Halogenfrei — Yes
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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