MT41K256M16HA-107G:E vs H5TC4G63CFR-H9J 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-107G:E 제조: Micron Technology 및 H5TC4G63CFR-H9J 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107G:E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-107G:E | H5TC4G63CFR-H9J |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.00 | $6.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35V | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 데이터 버스 폭 | 16 bit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Speed Grade | — | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | Industrial |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |